基於專利技術數據全球氧化锆氧傳感器的六點研究總結

在建立的“氧化锆氧傳感器制備(bèi)技術數據庫”基礎(chǔ)上，借助INNOGRAPHY 專業分析工具和專利文獻解析對國内外專利的申請趨勢、全球競争格局、技術熱點主要創新主體的重點技術分支專利數據進行分析，得出以下6個結論。

(1)當前氧化锆氧傳感器制備(bèi)技術的全球專利申請趨勢爲高速增長(zhǎng)期，專利布局主要在分布德國、美國、日本、中國等國家。

(2)全球該技術的主要創(chuàng)新主體爲德國羅伯特博世公司、日本特殊陶業株式會社、日本電裝公司、日本礙(ài)子株式會社。

(3)全球現階段的重點技術分支爲關鍵材料電極及其被覆物的成分或構成,如催化劑、層(céng)狀結構的感應元件保護電極或電解質的方法。①催化劑方面的重要技術點:貴金屬-氧離子傳(chuán)導性固體電解質-金屬氧化物複合電極、導電氧化物電極。2保護電極或電解質的方法的重要技術點:多層(céng)保護塗層(céng)，需加大力度探索各種材料的兼容性。

(4)未來，全球的重點(diǎn)技術分支爲其特别适用的電路裝置、用於(yú)加熱或控制固體電解質溫度的方法、校準或校驗分析儀等。

(5)本領域的先進技術平闆式寬域型氧化锆氧傳(chuán)感器、應用層(céng)狀結構的感應元件目前在國内研究仍較少，我國在此領域的研究還有很大發展空間。

(6)國内開展電(diàn)極材料和保護塗層(céng)材料研發時需要預警技術，包括貴金屬或其合金-第1陶瓷-第2陶瓷複合電(diàn)極、貴金屬-多孔陶瓷載體 -Ti氧化物複合電(diàn)極、Pt-Au 合金-氧化锆複合電(diàn)極、含多層(céng)催化層(céng)的保護層(céng)、不同空隙率的多層(céng)保護層(céng)。

李重1，劉英’，向藍翔:

102413:2.北京奧(ào)凱知識産(chǎn)權服務有限公司，北京100080:(1.中國原子能科學研究院，北京3.核工業學院，北京 102413)